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Diodes包装芯片尺寸的肖特基二极管实现双功率密度

Diodes公司第一个采用晶圆级核心尺寸封装的肖特基(Schottky) 二极管为智能手机和平板电脑的设计提供了微型设计DFN除了0603装置,还有一个选择。新设备可以Diodes中国代理商在一电路板占用面积,实现双功率密度。

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全新30V及0.2A SDM0230CSP采用肖特基二极管X3-WLCUS0603-3焊盘包装,热阻仅为261oC/W,比DFN0603包装低约一半,有效降低了开关、反向阻断和整流电路的功耗。

SDM0230CSP占地面积为0.18mm2.比行业标准采用DFN1006及SOD923包装的肖特基二极管节省了70%的电路板面积,非常适合高密度设计。此外,该设备的离板厚度为0.3mm,与其它二极管相比,薄25%有利于超薄便携式产品的设计。

肖特基二极管最大正向电压很低,0.2A正电流只有0.5V,加上在30V在反向电压下,漏电流一般低至1.5mA,能将功耗降到最低,从而延长电池寿命。

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DMP10H4D2S-7
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AZ23C12-7-F
二极管 - 齐纳 - 阵列
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DDTB113ZU-7-F
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
封装:SC-70,SOT-323
PI3L720ZHE
接口 - 模拟开关 - 特殊用途
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BZT52C3V0-7-F
二极管 - 齐纳 - 单
封装:SOD-123
ZR431C
电源管理IC - 电压基准
产品封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
DDTC122LE-7
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
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MMDT4124-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
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