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二极管与整流器 - DIODES
DIODES二极管与整流器

齐纳二极管:Diodes公司提供各式各样的表面黏着型与无引线封装,赋予齐纳二极管广泛的功能。Diodes公司提供紧密容差的齐纳二极管。离子植入磊晶的晶圆制程,可允许小至±2.0%的容差,电压范围2.4V至47V。

 

萧特基(Schottky)(.5A以下)

 

小讯号开关二极管:Diodes的小信号开关二极管系列提供超过20种不同配置的可能性。

快速/超快速二极管:Diodes产品线的快速/超快速二极管提供快速恢复整流器,超快速恢复整流器和超快速整流器。

PFC二极管:DIODESTAR桥式整流器非常适合用于功率因子校正(PFC)电路。DIODESTAR是专有的制程平台,用以制造高电压整流器。DIODESTAR制程打造出高效率的整流器,能够有效处理400V以上的电压、软回复和超快速的切换。相关制程也用以生产各种终端应用所需的高电压整流器,应用上的实例包括了:

 

LCDLED背光电视

太阳能逆变器

脱机照明

消费性变压器工业笔记本电脑和打印机

服务器与桌面计算机。

 

DIODESTAR桥式整流器非常适合用于功率因子校正(PFC)电路。相关的整流器产品只要采取正确的PFC设计,就能适用于边界(BCM)和连续(CCM)导通模式运作。

 

妥善利用高效率的DIODESTAR整流器,设计人员就能确保产品顺利达到80PLUS能源之星(EnergyStar)和其他电气标准的严格要求。

 

网桥:Diodes公司(DiodesIncorporated)网桥系列产品,以其质量、高效能与优化的封装闻名。Diodes公司(DiodesIncorporated)专为产品设计人员提供了各式各样的分立半导体组件系列产品,以其质量、高效能与优化的封装闻名。质量优异的封装,包括了Diodes适用于整流器晶粒的玻璃钝化制程(GPP)。

 

标准整流器:Diodes标准整流器系列提供超过14种不同的产品类型

 

SBR®(超级势垒整流器)

 

Diodes公司的SBR产品组合,致力于追求技术进程、创新的产品,从设计一开始到生产皆与客户协同合作,因此市场接受度和市占率持续增加。

 

新世代的萧特基(Schottky)整流器产品SBR是Diodes公司独有的专利技术,运用金属氧化半导体(MOS)制程(传统的萧特基使用双极制程)来制造出色的双端装置,此等装置的顺向电压(VF)低于同级的萧特基二极管,并拥有PN外延二极管的热稳定性与高可靠度特性。

 

SuperBarrierRectifier(SBR):SBR二极管是专为高功率、低损耗与快速切换的应用而设计。其结构中的MOS沟道,形成了多数载子的低电位障壁,因此低电压时的SBR顺向偏压运作,类似于萧特基二极管。不过,由于P-N空乏层的重迭,以及影像电荷让电位障壁无法减少,SBR二极管的漏电流比萧特基二极管的低。

 

Diodes的SBR产品组合非常适用于下列的电路需求:

-交换式电源供应器(SMPS)

-直流对直流(DC-DC)转换用的降压/升压二极管

-电池充电器

-反极性保护

-太阳能板

-LED照明

-汽车产业应用

DIODES公司被热门关注的产品(2022年9月28日)
ZRC250A02STZ
电源管理IC - 电压基准
产品封装:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
BZT52C4V7-7-F
二极管 - 齐纳 - 单
封装:SOD-123
AZ1117ID-1.8TRG1
电源管理IC - 稳压器 - 线性
产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
2DB1689-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
封装:SC-70,SOT-323
DDTB113EU-7-F
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
封装:SC-70,SOT-323
DMP3125L-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:SOT-23
ZVN3320ASTZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
APX803L-27SR-7
电源管理IC - 监控器
产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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