Diodes公司推出一对1A额定值的40V紧凑型格栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上、嵌入式电源和电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封装) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封装) 可缩减MOSFET开关时间有助于减少开关损耗，提高功率密度，提高整体转换效率。

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作为低功率控制的新驱动器IC高增益缓冲水平可以从10开始mA提供5000输入电流mA典型的驱动电流使功率MOSFET电容负载实现快速充放电功能。驱动器具有超速开关，并提供不到5个ns传递延迟时间小于20ns升降时间。

两款ZXGD3009系列产品通过单独抽灌输独立控制MOSFET开关时间，使MOSFET工作模式可以更好地满足应用程序的需要。设备可以用正负电压驱动栅极，确实Diodes保功率MOSFET硬关节的可靠性 。

新格栅极驱动器配有强大的射极跟随器，可防止锁定和击穿，并能承受高达2A峰值电流。两款产品提供40个V工作电压范围广，功率大MOSFET栅极驱动也使它们远远超过功率MOSFET常见的栅极驱动12V电压尖峰。

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