凭借着公司丰富的自有封装技术与卓越的硅晶技术，Diodes完全满足您的双极晶体管应用需求。

Diodes持续的创新：双极晶体管的产品组合，传承了Diodes连续多个世代的创新矩阵射极制程。多年的专业知识、先进设计和制程创新，让Diodes在打造超低饱和的快速切换晶体管方面，继续保持领先地位。

Diodes同級最佳效能：致力于追求制程的优化，以达成最低饱和电压、缩小晶粒面积，并提高切换效能，进而减少功耗，打造出最小表面黏着的封装，同时仍能满足目标应用之所需。双极本质上对ESD的耐受力，加上极低的特征导通电阻，使其成为MOSFET技术之外极具成本效益的替代方案，各种电路拓朴均可采用。

Diodes应用特定产品：市场需要改良的电子系统解决方案，无论是效率的提升、功率密度的增加，或只是成本的降低，这种种的需求也催生出Diodes所有的应用特定产品。

Diodes开发突崩晶体管、闸极驱动器和H桥装置，以打造客户所需的专属解决方案，并结合出色的晶体管晶粒效能与Diodes封装专业技术的优点。

Diodes品质：在Diodes的双极晶体管产品组合中，大多数产品的设计，皆能满足美国汽车电子协会(AutomotiveElectronicCouncil)AECQ101规格的严格要求。

Diodes晶体管 (BJT) 产品主表：

晶体管 < 25V

晶体管 30V 至 50V

晶体管 55V 至 100V

晶体管 >100V

特殊功能晶体管：

高电压线性稳压器

LED 驱动器

继电驱动器

闸极驱动器晶体管

同步控制器

突崩晶体管

H 桥 BJT

主动式 ORing 控制器

RF 晶体管

预置偏压晶体管

达灵顿晶体管：Diodes 的达灵顿晶体管，最适合继电与电磁阀驱动，及线性稳压应用。  

晶体管与萧特基 (Schottky) 组合

匹配对：使用单一晶圆的相邻晶粒制造：将直流 (DC) 电流增益、hFE、VCE(sat)、VBE(sat) 匹配最大 2% 的容差。