iodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品将是功率MOSFET与反并联的肖特基二极管集成在芯片上。DMS3014SSDiodesS 和 DMS3015SSS 该装置适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置有助于提高效率，降低工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。

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在10V 的VGS电压下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分别仅为10m? 及8.5m?。通常情况下，这些设备可以与低侧相匹配MOSFET相关导通损耗最小化。与此同时，DIOFET肖特基二极管的正向电压与同类相比MOSFET或者肖特基二极管比典型的低25%MOSFET本征体二极管低48%，最大限度地减少开关损耗，提高效率。DIOFET 小特基二极管具有低反向恢复电荷和更软的反向恢复特性，可以进一步减少体二极管的开关损耗。

在基准测试中，DIOFET 与其他竞争解决方案相比，工作温度低5%。MOSFET 结温每降低10℃，DIOFET永久可靠性翻倍。DIOFET装置的工作温度大大提高了负载点转换器的可靠性。