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Diodes 推出全新OR ing 控制器

Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102使共享电源系统的设计人员能够高效MOSFET取代散热阻流二极管,实现电信、服务器、大型机器的低温运行,对正常运行时间要求严格。

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Diodes 亚太技术市Diodes代理场主任梁后权表示,传统上用于电源故障保护的肖特基阻流二极管的热耗散量很高,与其强大的0相比. 5V 如果使用典型的正向电压低于100,则直接关系到正向压降。mV导电阻低的MOSFET替代二极管,功耗将显著降低。ZXGD3102是为了控制高可靠性N 在冗余电源系统中MOSFET而设计的。

该控制器可吸收5A峰值关闭电流,因此其栅极驱动可实现160ns 典型MOSFET关闭时间,确保快速负载保护,避免电源故障和热插拔时总线电压变化。为了满足故障处理的要求,可以调整控制器的导电时间,实现电源之间的平稳转换。ZXGD3102 输入电压阻断能力为180V。

芯片很小SM8 包装,只需要少量的外部元件,并使用5,可以很容易地导出微型齐纳二极管V 至 15V低电流偏压轨。

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MMBZ10VAL-7
TVS - 二极管
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
74LV14AT14-13
逻辑 - 栅极和逆变器
供应商器件封装:14-TSSOP
DXTN07100BP5Q-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
封装:PowerDI? 5
FL5000068
晶体
封装:4-SMD,无引线
PI3EQX1204-CZHEX
接口 - 信号缓冲器、中继器、分离器
产品封装:42-VFQFN
SMBJ58CAQ-13-F
TVS - 二极管
封装:DO-214AA,SMB
DDTA113ZUA-7
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
封装:SC-70,SOT-323
ZVP2110ASTZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
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