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DMN3029LFG-13
  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:单端场效应管,PowerDI3333-8
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
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    专营DIODES芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,DIODES授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:DMN3029LFG-13
  • 制造商:DIODES(ZETEX)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18.6 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):580pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerDI3333-8
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