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ZXTDC3M832TA
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:晶体管阵列,8-MLP
- 技术参数:TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
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ZXTDC3M832TA技术参数详情:
- Diodes公司完整型号:ZXTDC3M832TA
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN,PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4A,3A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,40V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):320mV @ 200mA,4A / 370mV @ 250mA,2.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):25nA
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,2V / 60 @ 1.5A,2V
- 功率 - 最大值:1W
- 频率 - 跃迁:165MHz,190MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-MLP(3x2)
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