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ZXMN3A02N8TC
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SO
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
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ZXMN3A02N8TC技术参数详情：
- 制造商产品型号：ZXMN3A02N8TC
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.3A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 12A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26.8nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.56W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-SO
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