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ZXMN10A08G
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：单端场效应管，SOT-223
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
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ZXMN10A08G技术参数详情：
- Diodes公司完整型号：ZXMN10A08G
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 3.2A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 50V
- 功率 - 最大值：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：SOT-223
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