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ZXMHC3A01N8TC
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SO
- 技术参数：MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
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ZXMHC3A01N8TC技术参数详情：
- 型号:ZXMHC3A01N8TC
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.17A，1.64A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.9nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190pF @ 25V，204pF @ 15V
- 功率 - 最大值:870mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
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