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ZXMD65P02N8TC
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
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ZXMD65P02N8TC技术参数详情：
- 制造商产品型号：ZXMD65P02N8TC
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：2 个 P 沟道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 2.9A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250A（最小）
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 15V
- 功率-最大值：1.75W
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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