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VN10LP
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-92
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
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VN10LP技术参数详情：
- 型号:VN10LP
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-92
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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