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MMBTH10-7-F
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管，封装:SOT-23-3
- 技术参数：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
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MMBTH10-7-F技术参数详情：
- 型号:MMBTH10-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
- 描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V
- 频率 - 跃迁:650MHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:-
- 增益:-
- 功率 - 最大值:300mW
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:60 @ 4mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50mA
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
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