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DXTN3C60PSQ-13
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管，封装:PowerDI5060-8
- 技术参数：TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
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DXTN3C60PSQ-13技术参数详情：
- 型号:DXTN3C60PSQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI5060-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:60 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:270mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 500mA，2V
- 功率 - 最大值:2.25 W
- 频率 - 跃迁:140MHz
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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