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DMN95H2D2HCTI
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：ITO-220AB
- 技术参数：MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
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DMN95H2D2HCTI技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMN95H2D2HCTI
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：950V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20.3nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1487pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：ITO-220AB
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