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DMN3012LDG-13
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerLDFN
- 技术参数：MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
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DMN3012LDG-13技术参数详情：
- 制造商产品型号：DMN3012LDG-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
- 描述：MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），20A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A，1.15V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：850pF @ 15V，1480pF @ 15V
- 功率-最大值：2.2W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerLDFN
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