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DGTD65T50S1PT
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-247
- 技术参数：IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
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DGTD65T50S1PT技术参数详情：
- 型号:DGTD65T50S1PT
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:770J（导通），550J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:287 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:58ns/328ns
- 测试条件:400V，50A，7.9 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):80 ns
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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