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Diodes推出新功率MOSFET优化低压操作

Diodes Incorporated全面扩大其功率MOSFET产品系列增加了能够在各种消费、通信、计算和工业应用中发挥负载和切换功能的新设备。新设备涵盖Diodes和Zetex产品系列包括27款30款V逻辑电平,9款20V低阈值的N、P互补包装采用不同的工业标准MOSFET。

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这些新功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式包装、引脚和占地面积与现有设备兼容,具有竞争优势,不仅可以减少材料清单,而且可以提高性能,无需额外成本。新设备可用DC/DC有利于转换和一般电源管理功能LCD电视、笔记本电脑等新产品设计。

Diodes的30V逻辑电平功率MOSFET涵盖广泛的通态电阻范围,从SOT23 P沟道、10V VGS的190m?至SO8 N沟道MODiodes中文官网SFET的9m?。逻辑层操作中这些设备的通态电阻为4.5V VGS,P通道和N通道设备的起动栅极临界电压分别为-1V和 1V。

20V低阈值MOSFET通态电阻规定为2.5V VGS和1.8V VGS,典型值从SOT23封装的240m? 到SO8封装的9m?。P通道和N通道设备的起动栅极临界电压分别为-0.6V和 0.6V。

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