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Diodes汽车级整流器提升雪崩性能达十倍

Diodes公司推出超级势垒整流器 (Super Barrier Rectifier,简称SBR) 系列,符合AECQ101高可靠性汽车标准,并备有生产件批准程序 (Production Part Approval Procedure,简称PPAP) 第三级文档。这些元件完全通过雪崩测试,而且反向雪崩能力比同类型的肖特基 (Schottky) 二极管强三到十倍。

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SBR系列配备独特的专利结构,其高反向雪崩性能有效防止负尖峰及电感负载浪涌,使汽车产品更加坚固可靠。在一个典型的单脉冲雪崩测试中,当肖特基及SBR器件处于相同的电路情况,它们的雪崩能量分别为7mJ和70mJ。

这个SBR "Q"系列提供高达60A电流额定值及100V反向电压额定值。它在更高温的情况下能大幅降低反向漏电流,有助于把电路损耗减到最低,以及进一步防止热失控。

此外,SBR系列比肖特基二极管具有较低正向电压降,有效在反向极性保护和续流二极管电路等一般应用内,减少传导损耗及提升整体效率。

DIODES公司被热门关注的产品(2025年7月2日)
ZRC250A02STZ
电源管理IC - 电压基准
产品封装:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
BZT52C4V7-7-F
二极管 - 齐纳 - 单
封装:SOD-123
AZ1117ID-1.8TRG1
电源管理IC - 稳压器 - 线性
产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
2DB1689-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
封装:SC-70,SOT-323
DDTB113EU-7-F
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
封装:SC-70,SOT-323
DMP3125L-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:SOT-23
ZVN3320ASTZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
APX803L-27SR-7
电源管理IC - 监控器
产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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