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Diodes MOSFET使电源供应器超越“能源之星”效率目标

Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器,作为理想驱动二极管。同时,ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗,以及逾87%的满载效率。

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控制器具备少于1mA的静态电流,并能以低至4.5V的电源电压运作,远胜于其他竞争对手的解决方案。此外,该控制器还能提供超越“能源之星”待机评级标准的反激式电源。

ZXGD3105N8以SO8封装供应,可用于工业及消费性产品中的交流-直流与直流-直流内部及外部的电源供应器。同时,该控制器还能在高达500kHz的开关频率下运作,有助减小变压器的体积,从而实现更纤细的外形设计。

MOSFET控制器作为比例式闸极驱动器运作,可防止不必要的MOSFET关闭,并使MOSFET关闭传播延迟降低至15ns,从而减少反向电流,有助最大幅度地提升电源电路效率。

DIODES公司被热门关注的产品(2023年2月3日)
ZXTP2041FTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DDA124EU-7
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
封装:-
ZVN4424A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:TO-92-3
MBRF3045CT-LJ
二极管 - 整流器 - 阵列
封装:TO-220-3 全封装,隔离接片
ZC833ATC
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AH1751-WG-7-A
磁性传感器 - 开关(固态)
器件封装:SC-59-3
MMBZ5257BS-7-F
二极管 - 齐纳 - 阵列
封装:-
AP2191FMG-7
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
供应商器件封装:6-DFN2018(2.0x1.8)
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