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Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件

Diodes公司推出新型ZXMC10A采用816装置SO包括一对互补1000包装V增强式MOSFET,与体积较大的独立包装设备相当。ZXMC10A816适用于H桥电路,包括直流风扇和逆变器电路,D类放大器输出等级48V应用。

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Diodes 亚太技术市场总监梁后权指出:“这个N通道和P通道组合的MOSFET可替代采用SOT223及DPak (TO252) 包装相同的装置有助于减少电路板空间和元件的数量,简化栅极驱动电路的设计。比方说,SO8充分发挥了节省空间的作用,占地面积只有31 mm2,仅为两个SOT223 MOSFET的30%。”

最新双装置包装中的N和P通道MOSFET,可在10V栅极电压 (VGS) 实现极低的栅极电荷,典型的导电阻 (RDS(ON)) 分别为230m? 和235m?,确保开关和导通损耗保持在最低水平。功耗分别为2.4W及2.6W。

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AP7165-FNG-7
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ZVP4105ASTOB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
AZ7023RTR-E1
电源管理IC - 监控器
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GBJ2001
二极管 - 桥式整流器
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SBR30M100CTFP
二极管 - 整流器 - 阵列
封装:TO-220-3 全封装,隔离接片
SMBJ30CA-13
TVS - 二极管
封装:DO-214AA,SMB
DMN6070SSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
DDZ19-7
二极管 - 齐纳 - 单
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