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ZXMN6A11DN8TA图片
  • 制造厂商:Diodes
  • 产品类别:场效应管阵列
  • 技术规格:MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
  • 原厂封装:8-SOP
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
  • 销售电话
    Diodes公司提供的技术信息
  • Diodes公司完整型号:ZXMN6A11DN8TA
  • 制造厂家名称:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
  • 系列:-
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.5A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小)
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):330pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:1.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOP
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